參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70824S25PF
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
中文描述： 4K X 16 STANDARD SRAM, 25 ns, PQFP80
封裝： TQFP-80
文件頁數(shù)： 14/21頁
文件大?。?/td> 205K
代理商： IDT70824S25PF
14
IDT70824S/L
High-Speed 4K x 16 Sequential Access Random Access Memory Military and Commercial Temperature Ranges
$%"5/36
/3)#$24
!
$%"5/
36/3)#$24
!
NOTES:
1. 'X' in part number indicates power rating (S or L).
2. Transition measured at 0mV fromsteady state. This parameter is guaranteed with the AC Output Test Load (Figure 1) by device characterization, but is not
production tested.
3. Industrial temperature: for specific speeds, packages and powers contact your sales office.
70824X20
Com'l Only
70824X25
Com'l Only
70824X35
Com'l &
Mlitary
70824X45
Com'l &
Mlitary
Unit
Symbol
Parameter
Mn.
Max.
Mn.
Max.
Mn.
Max.
Mn.
Max.
READ CYCLE
t
CYC
Sequential Clock Cycle Time
25
____
30
____
40
____
50
____
ns
t
CH
Clock Pulse HIGH
10
____
12
____
15
____
18
____
ns
t
CL
Clock Pulse LOW
10
____
12
____
15
____
18
____
ns
t
ES
Count Enable and Address Pointer Set-up Time
5
____
5
____
6
____
6
____
ns
t
EH
Count Enable and Address Pointer Hold Time
2
____
2
____
2
____
2
____
ns
t
SOE
Output Enable to Data Valid
____
8
____
10
____
15
____
20
ns
t
OLZ
Output Enable Low-Z Time
(2)
2
____
2
____
2
____
2
____
ns
t
OHZ
Output Enable High-Z Time
(2)
____
9
____
11
____
15
____
15
ns
t
CD
Clock to Valid Data
____
20
____
25
____
35
____
45
ns
t
CKHZ
Clock High-Z Time
(2)
____
12
____
14
____
17
____
20
ns
t
CKLZ
Clock Low-Z Time
(2)
3
____
3
____
3
____
3
____
ns
t
EB
Clock to
EOB
____
13
____
15
____
18
____
23
ns
3099 tbl 22
Symbol
Parameter
70824X20
Com'l Only
70824X25
Com'l Only
70824X35
Com'l &
Mlitary
70824X45
Com'l &
Mlitary
Unit
Mn.
Max.
Mn.
Max.
Mn.
Max.
Mn.
Max.
WRITE CYCLE
t
CYC
Sequential Clock Cycle Time
25
____
30
____
40
____
50
____
ns
t
FS
FlowRestart Time
13
____
15
____
20
____
20
____
ns
t
WS
Chip Select and Read/Write Set-up Time
5
____
5
____
6
____
6
____
ns
t
WH
Chip Select and Read/Write Hold Time
2
____
2
____
2
____
2
____
ns
t
DS
Input Data Set-up Time
5
____
5
____
6
____
6
____
ns
t
DH
Input Data Hold Time
2
____
2
____
2
____
2
____
ns
3099 tbl 23
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PDF描述
IDT70824S25PFB HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
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IDT70824S35GB HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
IDT70824L Low-Noise JFET-Input Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70
IDT70824L25G Low-Noise JFET-Input Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70
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參數(shù)描述
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IDT70825L20G 功能描述:IC SARAM 128KBIT 20NS 84PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
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