參數(shù)資料
型號： IDT70824S25PF
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
中文描述： 4K X 16 STANDARD SRAM, 25 ns, PQFP80
封裝： TQFP-80
文件頁數(shù)： 17/21頁
文件大?。?/td> 205K
代理商： IDT70824S25PF
6.42
IDT70824S/L
High-Speed 4K x 16 Sequential Access Random Access Memory Military and Commercial Temperature Ranges
A6A2"$%
NOTES:
1. If
SLD
= V
IL
, then address will be clocked in on the SCLK's rising edge.
2. If
CNTEN
= V
IH
for the SCLK's rising edge, the internal address counter will not advance.
3. Pointer is not incrementing on cycle immediately following
SLD
even if
CNTEN
is LOW.
4. If SR/
W
= V
IL
, data would be written to D
0
again since
CNTEN
= V
IH
.
5.
SOE
= V
IL
makes no difference at this point since the SR/
W
= V
IL
disables the output until SR/
W
= V
IH
is clocked in on the next rising clock edge.
A6A2"$%
SLD
CNTEN
t
CYC
SR/
W
SCE
SOE
SCLK
t
CH
t
CL
t
DS
t
DH
t
OHZ
t
EH
t
ES
(3)
(1)
t
EH
t
ES
Dx
A0
D0
HIGH IMPEDANCE
t
WS
t
WH
t
WS
t
WH
t
CD
t
CKLZ
t
WS
t
WH
t
WS
t
WH
t
CKHZ
D0
t
DS
t
DH
(4)
(5)
t
EH
t
ES
D1
t
DS
t
DH
HIGH IMPEDANCE
SI/O
IN
SI/O
OUT
3099 drw 20
(4)
SLD
CNTEN
D2
SR/
W
SCLK
t
CYC
t
CH
t
CL
t
DS
t
DH
t
EH
t
ES
t
EH
t
ES
(1)
(3)
A0
Dx
HIGH IMPEDANCE
t
WS
t
WH
t
WS
t
WH
t
CKLZ
t
WS
t
WH
t
WS
t
WH
D1
D0
D2
t
DS
t
DH
t
CD
SCE
SOE
(2)
SI/O
IN
SI/O
OUT
3099 drw 21
(5)
(5)
相關PDF資料
PDF描述
IDT70824S25PFB HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
IDT70824S35G HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
IDT70824S35GB HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
IDT70824L Low-Noise JFET-Input Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70
IDT70824L25G Low-Noise JFET-Input Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70
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參數(shù)描述
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