參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70V26S55JI
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
英文描述： HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述： 高速3.3 16K的× 16 DUAL-PORT靜態(tài)RAM
文件頁(yè)數(shù)： 7/17頁(yè)
文件大小： 144K
代理商： IDT70V26S55JI
6.42
IDT70V26S/L
High-Speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
NOTES:
1. Transition is measured 0mV fromLow- or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2.
This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3.
To access RAM
CE
= V
IL
and
SEM
= V
IH
. To access semaphore,
CE
= V
IH
and
SEM
= V
IL
.
4.
'X' in part number indicates power rating (S or L).
5.
Industrial temperature: for specific speeds, packages and powers contact your sales office.
/%2;%
2$+)34*
>7!
$..
CE
2945 drw 06
t
PU
I
CC
I
SB
t
PD
50%
50%
,
70V26X25
Com'l Only
70V26X35
Com'l Only
70V26X55
Com'l Only
Unit
Symbol
Parameter
Mn.
Max.
Mn.
Max.
Mn.
Max.
READ CYCLE
t
RC
Read Cycle Time
25
____
35
____
55
____
ns
t
AA
Address Access Time
____
25
____
35
____
55
ns
t
ACE
Chip Enable Access Time
(3)
____
25
____
35
____
55
ns
t
ABE
Byte Enable Access Time
(3)
____
25
____
35
____
55
ns
t
AOE
Output Enable Access Time
____
15
____
20
____
30
ns
t
OH
Output Hold fromAddress Change
3
____
3
____
3
____
ns
t
LZ
Output Low-Z Time
(1,2)
3
____
3
____
3
____
ns
t
HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
15
____
20
____
25
ns
t
PU
Chip Enable to Power Up Time
(2)
0
____
0
____
0
____
ns
t
PD
Chip Disable to Power Down Time
(2)
____
25
____
35
____
50
ns
t
SOP
Semaphore Flag Update Pulse (
OE
or
SEM
)
15
____
15
____
15
____
ns
t
SAA
Semaphore Address Access Time
____
35
____
45
____
65
ns
2945 tbl 11
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70V27L15BF ACB 17C 17#1 PIN RECP WALL RM
IDT70V27L15BFI HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V27L15G HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V27L55G HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V27L55GI HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT70V27L15BF 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 144FBGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):70V3579S5BCI8
IDT70V27L15PF 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):70V3579S5BCI8
IDT70V27L15PF8 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):70V3579S5BCI8
IDT70V27L15PFG 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
IDT70V27L15PFG8 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):70V3579S5BCI8
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