參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70V7599S133BCI
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： High Conductance Low Leakage Diode; Package: DO-35; No of Pins: 2; Container: Bulk
中文描述： 128K X 36 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PBGA256
封裝： 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256
文件頁(yè)數(shù)： 10/22頁(yè)
文件大?。?/td> 489K
代理商： IDT70V7599S133BCI
6.42
IDT70V7599S
High-Speed 128K x 36 Synchronous Bank-Switchable Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Test Conditions
(V
DDQ
- 3.3V/2.5V)
Input Pulse Levels (Address & Controls)
GND to 3
.
0V/GND to 2.4V
Figure 1. AC Output Test load.
Figure 2. Output Test Load
(For t
CKLZ
, t
CKHZ
, t
OLZ
, and t
OHZ
).
*Including scope and jig.
Figure 3. Typical Output Derating (Lumped Capacitive Load).
Input Pulse Levels (I/Os)
Input Rise/Fall Times
Input Timng Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V/GND to 2.4V
2ns
1.5V/1.25V
1.5V/1.25V
Figures 1 and 2
5626 tbl 10
1.5V/1.25
50
50
5626 drw 03
10pF
(Tester)
DATA
OUT
,
5626 drw 04
590
5pF*
435
3.3V
DATA
OUT
,
833
5pF*
770
2.5V
DATA
OUT
,
-1
1
2
3
4
5
6
7
20.5
30
50
80
100
200
10.5pF is the I/O capacitance of this
device, and 10pF is the AC Test Load
Capacitance.
Capacitance (pF)
tCD
(Typical, ns)
5626 drw 05
,
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70V7599S133BF High Conductance Low Leakage Diode
IDT70V7599S133BFI High Conductance Low Leakage Diode
IDT70V7599S133DR High Conductance Low Leakage Diode; Package: DO-35; No of Pins: 2; Container: Bulk
IDT70V7599S133DRI HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V9089L9PF HIGH-SPEED 3.3V 64/32K x 8 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
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參數(shù)描述
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