參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70V7599S133BCI
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： High Conductance Low Leakage Diode; Package: DO-35; No of Pins: 2; Container: Bulk
中文描述： 128K X 36 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PBGA256
封裝： 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256
文件頁數(shù)： 13/22頁
文件大?。?/td> 489K
代理商： IDT70V7599S133BCI
6.42
IDT70V7599S
High-Speed 128K x 36 Synchronous Bank-Switchable Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of a Multi-Device Pipelined Read
(1,2)
t
SC
t
HC
CE
0(B1)
ADDRESS
(B1)
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
t
SA
t
HA
CLK
Q
0
Q
1
Q
3
DATA
OUT(B1)
t
CH2
t
CL2
t
CYC2
ADDRESS
(B2)
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
t
SA
t
HA
CE
0(B2)
DATA
OUT(B2)
Q
2
Q
4
t
CD2
t
CD2
t
CKHZ
t
CD2
t
CKLZ
t
DC
t
CKHZ
t
CD2
t
CKLZ
t
SC
t
HC
t
CKHZ
t
CKLZ
t
CD2
A
6
A
6
t
DC
t
SC
t
HC
t
SC
t
HC
5626 drw 08
NOTES:
1. B1 Represents Device #1; B2 Represents Device #2. Each Device consists of one IDT70V7599 for this waveform
and are setup for depth expansion in this example. ADDRESS
(B1)
= ADDRESS
(B2)
in this situation.
2.
BE
n
,
OE
, and
ADS
= V
IL
; CE
1(B1)
, CE
1(B2)
, R/
W
,
CNTEN
, and
REPEAT
= V
IH
.
Timing Waveform of a Multi-Device Flow-Through Read
(1,2)
t
SC
t
HC
CE
0(B1)
ADDRESS
(B1)
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
t
SA
t
HA
CLK
5626 drw 09
D
0
D
3
t
CD1
t
CKLZ
t
CKHZ
(1)
(1)
D
1
DATA
OUT(B1)
t
CH1
t
CL1
t
CYC1
(1)
ADDRESS
(B2)
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
t
SA
t
HA
CE
0(B2)
DATA
OUT(B2)
D
2
D
4
t
CD1
t
CD1
t
CKHZ
t
DC
t
CD1
t
CKLZ
t
SC
t
HC
(1)
t
CKHZ
(1)
t
CKLZ
(1)
t
CD1
A
6
A
6
t
DC
t
SC
t
HC
t
SC
t
HC
D
5
t
CD1
t
CKLZ
(1)
t
CKHZ
(1)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70V7599S133BF High Conductance Low Leakage Diode
IDT70V7599S133BFI High Conductance Low Leakage Diode
IDT70V7599S133DR High Conductance Low Leakage Diode; Package: DO-35; No of Pins: 2; Container: Bulk
IDT70V7599S133DRI HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V9089L9PF HIGH-SPEED 3.3V 64/32K x 8 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
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