參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70V7599S133BCI
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： High Conductance Low Leakage Diode; Package: DO-35; No of Pins: 2; Container: Bulk
中文描述： 128K X 36 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PBGA256
封裝： 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256
文件頁(yè)數(shù)： 21/22頁(yè)
文件大?。?/td> 489K
代理商： IDT70V7599S133BCI
6.42
IDT70V7599S
High-Speed 128K x 36 Synchronous Bank-Switchable Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Identification Register Definitions
Instruction Field
Value
Description
Revision Number (31:28)
0x0
Reserved for version number
IDT Device ID (27:12)
0x308
Defines IDT part number
IDT JEDEC ID (11:1)
0x33
Allows unique identification of device vendor as IDT
ID Register Indicator Bit (Bit 0)
1
Indicates the presence of an ID register
5626 tbl 13
Scan Register Sizes
Register Name
Bit Size
Instruction (IR)
4
Bypass (BYR)
1
Identification (IDR)
32
Boundary Scan (BSR)
Note (3)
5626 tbl 14
System Interface Parameters
Instruction
Code
Description
EXTEST
0000
Forces contents of the boundary scan cells onto the device outputs
(1)
.
Places the boundary scan register (BSR) between TDI and TDO.
BYPASS
1111
Places the bypass register (BYR) between TDI and TDO.
IDCODE
0010
Loads the ID register (IDR) with the vendor ID code and places the
register between TDI and TDO.
HIGHZ
0100
Places the bypass register (BYR) between TDI and TDO. Forces all
device output drivers to a High-Z state.
CLAMP
0011
Uses BYR. Forces contents of the boundary scan cells onto the device
outputs. Places the bypass register (BYR) between TDI and TDO.
SAMPLE/PRELOAD
0001
Places the boundary scan register (BSR) between TDI and TDO.
SAMPLE allows data fromdevice inputs
(2)
and outputs
(1)
to be captured
in the boundary scan cells and shifted serially through TDO. PRELOAD
allows data to be input serially into the boundary scan cells via the TDI.
RESERVED
All other codes
Several combinations are reserved. Do not use codes other than those
identified above.
5626 tbl 15
NOTES:
1. Device outputs = All device outputs except TDO.
2. Device inputs = All device inputs except TDI, TMS, TRST, and TCK.
3. The Boundary Scan Descriptive Language (BSDL) file for this device is available on the IDT website (www.idt.com, or by contacting your local
IDT sales representative.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70V7599S133BF High Conductance Low Leakage Diode
IDT70V7599S133BFI High Conductance Low Leakage Diode
IDT70V7599S133DR High Conductance Low Leakage Diode; Package: DO-35; No of Pins: 2; Container: Bulk
IDT70V7599S133DRI HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V9089L9PF HIGH-SPEED 3.3V 64/32K x 8 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT70V7599S133BCI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70V7599S133BF 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70V7599S133BF8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70V7599S133BFI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70V7599S133BFI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*