參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70V9099L12PF
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： Small Signal Diode
中文描述： 128K X 8 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQFP100
封裝： TQFP-100
文件頁數(shù)： 5/17頁
文件大小： 300K
代理商： IDT70V9099L12PF
6.42
IDT70V9199/099L
High-Speed 3.3V 128K x9/x8 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Recommended Operating
Temperature and Supply Voltage
(1)
Ambient
Temperature
(2)
GND
V
DD
5
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range
(V
DD
= 3.3V ± 0.3V)
NOTE:
1. At V
DD
< 2.0V input leakages are undefined.
Recommended DC Operating
Conditions
Symbol
Parameter
Absolute Maximum Ratings
(1)
Symbol
Rating
NOTES:
1. These parameters are determined by device characterization, but are not
production tested.
2. 3dV references the interpolated capacitance when the input and output switch
from 0V to 3V or from 3V to 0V.
3. C
OUT
also references C
I/O
.
Capacitance
(1)
(T
A
= +25°C, f = 1.0MH
Z
)
Symbol
NOTES:
1. V
IL
> -1.5V for pulse width less than 10 ns.
2. V
TERM
must not exceed V
DD
+0.3V.
NOTES:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional
operation of the device at these or any other conditions above those indicated
in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute
maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.
2. V
TERM
must not exceed V
DD
+0.3V for more than 25% of the cycle time or 10ns
maximum, and is limited to < 20mA for the period of V
TERM
> V
DD
+ 0.3V.
3. Ambient Temperature Under DC Bias. No AC Conditions. Chip deselect.
NOTES:
1. This is the parameter T
A
. This is the "instant on" case temperature.
Grade
Commercial
0
O
C to +70
O
C
0V
3.3V
+
0.3V
Industrial
-40
O
C to +85
O
C
0V
3.3V
+
0.3V
4859 tbl 04
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
DD
Supply Voltage
3.0
3.3
3.6
V
V
SS
Ground
0
0
0
V
V
IH
Input High Voltage
2.0
____
V
DD
+0.3V
(2)
V
V
IL
Input Low Voltage
-0.3
(1)
____
0.8
V
4859 tbl 05
Commercial
& Industrial
Unit
V
TERM
(2)
Terminal Voltage
with Respect to
GND
-0.5 to +4.6
V
T
BIAS
(3)
Temperature
Under Bias
-55 to +125
o
C
T
STG
Storage
Temperature
-65 to +150
o
C
T
JN
Junction Temperature
+150
o
C
I
OUT
DC Output Current
50
mA
4859 tbl 06
Parameter
Conditions
(2)
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 3dV
9
pF
C
OUT
(3)
Output Capacitance
V
OUT
= 3dV
10
pF
4859 tbl 07
Symbol
Parameter
Test Conditions
70V9199/099L
Unit
Min.
Max.
|I
LI
|
Input Leakage Current
(1)
V
DD
= 3.6V, V
IN
= 0V to V
DD
___
5
μA
|I
LO
|
Output Leakage Current
CE
= V
IH
or CE
1
= V
IL
, V
OUT
= 0V to V
DD
___
5
μA
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= +4mA
___
0.4
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= -4mA
2.4
___
V
4859 tbl 08
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70V9099L6PF HIGH-SPEED 3.3V 128K x9/x8 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
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