參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71V124SA20TYI
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout
中文描述： 128K X 8 STANDARD SRAM, 20 ns, PDSO32
封裝： 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOJ-32
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 81K
代理商： IDT71V124SA20TYI
2
IDT71V124SA, 3.3V CMOS Static RAM
1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout Commercial and Industrial Temperature Ranges
Truth Table
(1)
Recommended DC Operating
Conditions
Absolute Maximum Ratings
(1)
DC Electrical Characteristics
(V
DD
= Min. to Max., Commercial and Industrial Temperature Ranges)
Pin Configuration
SOJ and TSOP
Top View
Capacitance
(T
A
= +25°C, f = 1.0MHz, SOJ package)
Parameter
(1)
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
A
0
A
1
A
2
A
3
CS
I/O
0
1
2
3
4
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A
15
A
14
A
13
I/O
1
V
DD
GND
I/O
2
I/O
3
WE
A
4
A
5
A
6
OE
I/O
7
I/O
6
GND
V
DD
I/O
5
I/O
4
.
3873 drw 02
A
7
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
SO32-2
SO32-3
SO32-4
A
16
NOTE:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUMRATINGS may cause
permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional operation
of the device at these or any other conditions above those indicated in the operational
sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximumrating
conditions for extended periods may affect reliabilty.
Symbol
Rating
Value
Unit
V
DD
Supply Voltage Relative
to GND
-0.5 to +4.6
V
V
IN
, V
OUT
Termnal Voltage Relative
to GND
-0.5 to V
DD
+0.5
V
T
A
Commercial
Operating Temperature
-0 to +70
o
C
Industrial
Operating Temperature
-40 to +85
T
BIAS
Temperature Under Bias
-55 to +125
o
C
T
STG
Storage Temperature
-55 to +125
o
C
P
T
Power Dissipation
1.25
W
I
OUT
DC Output Current
50
mA
3873 tbl 02
NOTE:
1. H = V
IH
, L = V
IL
, X = Don't care.
CS
OE
WE
I/O
Function
L
L
H
DATA
OUT
Read Data
L
X
L
DATA
IN
Write Data
L
H
H
High-Z
Output Disabled
H
X
X
High-Z
Deselected – Standby
3873 tbl 01
NOTE:
1. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
Symbol
Conditions
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 3dV
6
pF
C
I/O
I/O Capacitance
V
OUT
= 3dV
7
pF
3873 tbl 03
NOTES:
1. For 71V124SA10 only.
2. For all speed grades except 71V124SA10.
3. V
IH
(max.) = V
DD
+2V for pulse width less than 5ns, once per cycle.
4. V
IL
(mn.) = –2V for pulse width less than 5ns, once per cycle.
Symbol
Parameter
Mn.
Typ.
Max.
Unit
V
DD
(1)
Supply Voltage
3.15
3.3
3.6
V
V
DD
(2)
Supply Voltage
3.0
3.3
3.6
V
V
SS
Ground
0
0
0
V
V
IH
Input High Voltage
2.0
____
V
DD
+0.3
(3)
V
V
IL
Input Low Voltage
–0.5
(1)
____
0.8
V
3873 tbl 04
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Max.
Unit
|
LI
|
Input Leakage Current
V
DD
= Max., V
IN
=
GND to V
DD
___
5
μA
|
LO
|
Output Leakage Current
V
DD
= Max.,
CS
=
V
IH
, V
OUT
=
GND to V
DD
___
5
μA
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 8mA, V
DD
= Min.
___
0.4
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= –4mA, V
DD
= Min.
2.4
___
V
3873 tbl 05
Recommended Operating Tempera-
ture and Supply Voltage
Grade
Temperature
GND
V
DD
Commercial
0°C to +70°C
0V
See Below
Industrial
-40°C to +85°C
0V
See Below
3873 tbl 02a
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V124SA20Y 3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout
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