參數(shù)資料
型號： IDT71V124SA20TYI
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout
中文描述： 128K X 8 STANDARD SRAM, 20 ns, PDSO32
封裝： 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOJ-32
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 81K
代理商： IDT71V124SA20TYI
6.42
IDT71V124SA, 3.3V CMOS Static RAM
1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout Commercial and Industrial Temperature Ranges
NOTES:
1.
WE
is HIGH for Read Cycle.
2. Device is continuously selected,
CS
is LOW.
3. Address must be valid prior to or coincident with the later of
CS
transition LOW; otherwise t
AA
is the limting parameter.
4.
OE
is LOW.
5. Transition is measured ±200mV fromsteady state.
Timing Waveform of Read Cycle No. 1
(1)
Timing Waveform of Read Cycle No. 2
(1, 2, 4)
ADDRESS
3873 drw 05
OE
CS
DATA
OUT
(5)
(5)
(5)
(5)
DATA
OUT
VALID
HIGH IMPEDANCE
t
AA
t
RC
t
OE
t
ACS
t
OLZ
t
CHZ
t
CLZ
(3)
t
OHZ
.
DATA
OUT
ADDRESS
3873 drw 06
t
RC
t
AA
t
OH
t
OH
DATA
OUT
VALID
PREVIOUS DATA
OUT
VALID
.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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