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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT71V3548S133PFI |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAM 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| 中文描述： | 256K X 18 ZBT SRAM, 4.2 ns, PQFP100 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 9/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 494K |
| 代理商： | IDT71V3548S133PFI |
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6.42
IDT71V3548, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
ZBT
Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Device Operation - Showing Mixed Load, Burst,
Deselect and NOOP Cycles
(2)
9
NOTES:
1. H = High; L = Low; X = Dont Care; Z = High Impedance.
2.
CE
= L is defined as
CE
1
= L,
CE
2
= L and CE
2
= H.
CE
= H is defined as
CE
1
= H,
CE
2
= H or CE
2
= L.
Read Operation
(1)
NOTES:
1.
CE
= L is defined as
CE
1
= L,
CE
2
= L and CE
2
= H.
CE
= H is defined as
CE
1
= H,
CE
2
= H or CE
2
= L.
2. H = High; L = Low; X = Dont Care; Z = High Impedance.
Cycle
Address
R/
W
ADV/
LD
CE
(1)
CEN
BW
x
OE
I/O
Comments
n
A
0
H
L
L
L
X
X
X
Load read
n+1
X
X
H
X
L
X
X
X
Burst read
n+2
A
1
H
L
L
L
X
L
Q
0
Load read
n+3
X
X
L
H
L
X
L
Q
0+1
Deselect or STOP
n+4
X
X
H
X
L
X
L
Q
1
NOOP
n+5
A
2
H
L
L
L
X
X
Z
Load read
n+6
X
X
H
X
L
X
X
Z
Burst read
n+7
X
X
L
H
L
X
L
Q
2
Deselect or STOP
n+8
A
3
L
L
L
L
L
L
Q
2+1
Load write
n+9
X
X
H
X
L
L
X
Z
Burst write
n+10
A
4
L
L
L
L
L
X
D
3
Load write
n+11
X
X
L
H
L
X
X
D
3+1
Deselect or STOP
n+12
X
X
H
X
L
X
X
D
4
NOOP
n+13
A
5
L
L
L
L
L
X
Z
Load write
n+14
A
6
H
L
L
L
X
X
Z
Load read
n+15
A
7
L
L
L
L
L
X
D
5
Load write
n+16
X
X
H
X
L
L
L
Q
6
Burst write
n+17
A
8
H
L
L
L
X
X
D
7
Load read
n+18
X
X
H
X
L
X
X
D
7+1
Burst read
n+19
A
9
L
L
L
L
L
L
Q
8
Load write
5296 tbl 12
Cycle
Address
R/
W
ADV/
LD
CE
(2)
CEN
BW
x
OE
I/O
Comments
n
A
0
H
L
L
L
X
X
X
Address and Control meet setup
n+1
X
X
X
X
L
X
X
X
Clock Setup Valid
n+2
X
X
X
X
X
X
L
Q
0
Contents of Address A
0
Read Out
5296 tbl 13
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V3548SA | 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAM 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| IDT71V3548SA100BG | 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAM 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| IDT71V3548SA100BGI | 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAM 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| IDT71V3548SA100BQ | 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAM 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| IDT71V3548SA100BQI | 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAM 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71V3556S100BG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI |
| IDT71V3556S100BG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI |
| IDT71V3556S100BGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI |
| IDT71V3556S100BGI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI |
| IDT71V3556S100BQ | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲(chǔ)容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI |
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