- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377352 > IDT71V67902S80PF (INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC) 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IDT71V67902S80PF |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect |
| 中文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 8 ns, PQFP100 |
| 封裝： | 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 6/23頁 |
| 文件大?。?/td> | 527K |
| 代理商： | IDT71V67902S80PF |
6.42
IDT71V67702, IDT71V67902, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous Commercial and Industrial Temperature Ranges
SRAMs with 2.5V I/O, Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect
Pin Configuration 512K x 18, 100-Pin TQFP
Top View
NOTES:
1. Pin 14 does not have to be directly connected to V
SS
as long as the input voltage is < V
IL
.
2. Pin 64 can be left unconnected and the device will always remain in active mode.
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90
87 86 85 84 83 82 81
89 88
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
A
6
A
7
C
C
0
N
N
B
2
B
1
C
1
V
D
V
S
C
G
B
O
A
A
A
A
8
A
9
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
A
1
N
L
A
1
A
1
A
1
A
1
A
1
V
D
V
S
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
NC
NC
NC
V
DDQ
V
SS
NC
I/O
P2
I/O
15
I/O
14
V
SS
V
DDQ
I/O
13
I/O
12
V
SS
V
DD
NC
I/O
11
V
SS
(1)
I/O
10
V
DDQ
V
SS
I/O
9
I/O
8
NC
NC
V
SS
V
DDQ
NC
NC
NC
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
A
10
NC
NC
V
DDQ
V
SS
NC
I/O
P1
I/O
7
I/O
6
V
SS
V
DDQ
I/O
5
I/O
4
V
SS
NC
V
DD
ZZ
(2)
I/O
3
I/O
2
V
DDQ
V
SS
I/O
1
I/O
0
NC
NC
V
SS
V
DDQ
NC
NC
NC
A
1
5317 drw 02b
N
N
,
A
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V67902S80PFI | 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect |
| IDT71V67902S85BG | 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect |
| IDT71V67902S85BGI | 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect |
| IDT71V67902S85BQ | 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect |
| IDT71V67902S85BQI | 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71V67903S75BG | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 75NS 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI |
| IDT71V67903S75BG8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 75NS 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI |
| IDT71V67903S75BQ | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 75NS 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI |
| IDT71V67903S75BQ8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 75NS 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI |
| IDT71V67903S75BQG | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 75NS 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。