參數(shù)資料
型號： IDT82V2608
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
英文描述： INVERSE MULTIPLEXING FOR ATM
中文描述： 反向復(fù)用的ATM
文件頁數(shù)： 81/98頁
文件大?。?/td> 398K
代理商： IDT82V2608
PHYSICAL AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
81
December 4, 2006
IDT82V2608
Inverse Multiplexing for ATM
10
PHY S ICAL AND ELECT RICAL CHARACT ERIS T ICS
10.1 ABSOLUTE MAXIMUMRATINGS
10.2 D.C. CHARACTERISTICS
@ TA= -40 to +85°C.
Table-60 Absolute Maximum Ratings
Parameter
Mn
Max
Storage temperature
-65 °C
+150 °C
Voltage on VDD with reference to GND
-0.3 V
4.6 V
Voltage on input pin
-0.3 V
5.25 V
Voltage on output pin
-0.3 V
VDD+0.3 V
Maximumlead temperature for soldering during 10 s
230 °C
ESD Performance (HBM)
2000 V
Latch-up current on any pin
100 mA
Maximumjunction temperature
150 °C
Table-61 D.C. Characteristics
Parameter
Description
Mn
Typ
Max
Unit
Test Conditions
VDD
Core Power Supply
2.97
3.3
3.63
V
V
OL
Output Low Voltage
0.40
V
VDD=mn, I
OL
=4 mA or 6 mA
(1)
1.
The output driving capacity of all the embedded memory output pins are 4mA while the output driving capacity of all the other output pins are 6mA.
2.
All the input pins are schmtt-trigger pins.
V
OH
Output High Voltage
2.4
V
VDD=mn, I
OH
= 4 mA or 6 mA
V
T+
Input High Voltage
(2)
2.0
V
V
T-
Input Low Voltage
0.83
V
V
TH
Input Hysteresis Voltage
0.17
0.65
1.17
V
I
ILPU
Input Low Current
-20
-55
-200
uA
V
IL
=GND
I
IL
Input Low Current
-1
0
+1
uA
V
IL
=GND
I
IH
Input High Current
-2
0
+2
uA
V
IH
=+5 V
I
DDOP1
Operating current
160
mA
VDD=3.63 V, SYSClk=25 MHz
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