參數(shù)資料
型號(hào): IMB1
英文描述: TRANSISTOR | SO
中文描述: 晶體管|蘇
文件頁(yè)數(shù): 2/2頁(yè)
文件大小: 146K
代理商: IMB1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IMB2 TRANSISTOR | SO
IMB3 TRANSISTOR | SO
IMB4 TRANSISTOR | SO
IMB5 TRANSISTOR | SO
IMB6A TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SO
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IMB10 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SO
IMB100 制造商:AXIOMTEK 制造商全稱:AXIOMTEK 功能描述:2 DDR2-533/667/800 DIMM support up to 2GB
IMB100VGGA 制造商:Axiomtek Co Ltd 功能描述:LGA775 + Q965 + ICH8 WITH CRT/DUAL GE/AUDIO/1394A - Bulk
IMB10A 制造商:ROHM 功能描述:LEAK ABSORB PNPx2 SMD (Surface Mount) Transistor SMT5 / 6 300mW 制造商:ROHM 功能描述:LEAK ABSORB PNPx2 SMD (Surface Mount) Transistor SMT5 / 6 300mW - free partial T/R at 500.
IMB10AT110 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 DUAL PNP 50V 100MA SOT-457 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel