參數(shù)資料
型號(hào)： IMF6
英文描述： Transistors
中文描述： 晶體管
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 88K
代理商： IMF6
UMF6N
Transistors
!
Electrical characteristic curves
Tr1
3/5
0
1
100
1000
10
BASE TO EMITTER VOLTAGE : V
BE
(V)
C
C
(
1.4
1.0
1.2
0.4
0.6
0.8
0.2
V
CE
=
2V
Pulsed
T
=
1
°
C
T
=
2
°
C
T
=
4
°
C
Fig.1 Grounded emitter propagation
characteristics
1
10
100
1000
COLLECTOR CURRENT : I
C
(mA)
1
D
F
10
1000
100
Ta
=
125
°
C
Ta
=
40
°
C
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
2V
Pulsed
Fig.2 DC current gain vs.
collector current
1
10
100
1000
COLLECTOR CURRENT : I
C
(mA)
1
C
C
(
10
1000
100
Ta
=
25
°
C
Pulsed
I
C
/I
B
=
50
I
C
/I
B
=
20
I
C
/I
B
=
10
Fig.3 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current (
Ι
)
1
10
100
1000
COLLECTOR CURRENT : I
C
(mA)
1
C
C
(
10
1000
100
Ta
=
25
°
C
Ta
=
40
°
C
Ta
=
125
°
C
I
C
/I
B
=
20
Pulsed
Fig.4 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current (
ΙΙ
)
1
10
100
1000
COLLECTOR CURRENT : I
C
(mA)
10
B
B
100
10000
1000
Ta
=
25
°
C
Ta
=
40
°
C
Ta
=
125
°
C
I
C
/I
B
=
20
Pulsed
Fig.5 Base-emitter saturation voltage
vs. collector current
1
10
100
1000
EMITTER CURRENT : I
E
(mA)
1
T
T
(
10
1000
100
V
CE
=
2V
Ta
=
25
°
C
Pulsed
Fig.6 Gain bandwidth product
vs. emitter current
1
10
100
0.1
10
100
1000
Ta
=
25
°
C
f
=
1MHz
I
E
=
0A
C
E
EMITTER TO BASE VOLTAGE : V
EB
(
V)
Cib
Cob
Fig.7 Collector output capacitance
vs. collector-base voltage
Emitter input capacitance
vs. emitter-base voltage
0.01
0.1
1
10
100
EMITTER CURRENT : V
CE
(V)
0.001
T
C
(
0.01
10
0.1
1
Ta
=
25
°
C
Single Pulsed
DC
100ms
10ms1ms
Fig.8 Safe operation area
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IMH1 TRANSISTOR | SO
IMH2 TRANSISTOR | SO
IMH3 TRANSISTOR | SO
IMH4 TRANSISTOR | SO
IMH5 TRANSISTOR | SO
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參數(shù)描述
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IMFM185 功能描述:近程傳感器 IPD FLATPAK 45X30MM 18 5MM NAMUR 2MT RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 感應(yīng)方式:Optical 感應(yīng)距離:1 mm to 200 mm 電源電壓:2.5 V to 3.6 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 輸出配置:Digital 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 系列:VCNL3020
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