參數(shù)資料
型號： IPB100N06S3L-03
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢-T Power-Transistor
中文描述： ㈢的OptiMOS - T的功率晶體管
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 165K
代理商： IPB100N06S3L-03
IPB100N06S3L-03
IPI100N06S3L-03, IPP100N06S3L-03
Parameter
Symbol
Conditions
Unit
min.
typ.
max.
Thermal characteristics
2)
Thermal resistance, junction - case
R
thJC
-
-
0.5
K/W
Thermal resistance, junction -
ambient, leaded
R
thJA
-
-
62
SMD version, device on PCB
R
thJA
minimal footprint
-
-
62
6 cm
2
cooling area
5)
-
-
40
Electrical characteristics,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Static characteristics
Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1 mA
55
-
-
V
Gate threshold voltage
V
GS(th)
V
DS
=
V
GS
,
I
D
=230 μA
1.2
1.7
2.2
Zero gate voltage drain current
I
DSS
V
DS
=55 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
-
0.01
1
μA
V
DS
=55 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
2)
-
1
100
Gate-source leakage current
I
GSS
V
GS
=16 V,
V
DS
=0 V
-
1
100
nA
Drain-source on-state resistance
R
DS(on)
V
GS
=5 V,
I
D
=78 A
-
3.7
4.6
m
V
GS
=5 V,
I
D
=78 A,
SMD version
-
3.4
4.3
V
GS
=10 V,
I
D
=80 A
-
2.5
3.0
V
GS
=10 V,
I
D
=80 A,
SMD version
-
2.2
2.7
Values
Rev. 1.0
page 2
2005-09-16
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IPI100N06S3L-03 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPB100N08S2-07 OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPI100N08S2-07 OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB100N08S2L-07 OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB12CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IPB100N06S3L04ATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 55V 100A TO-263
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