參數(shù)資料
型號： IPB100N06S3L-03
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢-T Power-Transistor
中文描述： ㈢的OptiMOS - T的功率晶體管
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 165K
代理商： IPB100N06S3L-03
IPB100N06S3L-03
IPI100N06S3L-03, IPP100N06S3L-03
13 Typical avalanche energy
14 Drain-source breakdown voltage
E
AS
= f(
T
j
)
V
BR(DSS)
= f(
T
j
);
I
D
= 1 mA
parameter:
I
D
15 Typ. gate charge
16 Gate charge waveforms
V
GS
= f(
Q
gate
);
I
D
= 80 A pulsed
parameter:
V
DD
46
48
50
52
54
56
58
60
62
64
66
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
B
11 V
44 V
0
2
4
6
8
10
12
0
100
200
Q
gate
[nC]
300
400
500
V
G
30 A
40 A
50 A
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
0
50
100
150
200
T
j
[°C]
E
A
V
GS
Q
gate
Q
gs
Q
gd
Q
g
Rev. 1.0
page 7
2005-09-16
相關PDF資料
PDF描述
IPI100N06S3L-03 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPB100N08S2-07 OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPI100N08S2-07 OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB100N08S2L-07 OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB12CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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