參數(shù)資料
型號： IPB100N06S3L-03
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS㈢-T Power-Transistor
中文描述： ㈢的OptiMOS - T的功率晶體管
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 165K
代理商： IPB100N06S3L-03
IPB100N06S3L-03
IPI100N06S3L-03, IPP100N06S3L-03
5 Typ. output characteristics
6 Typ. drain-source on-state resistance
I
D
= f(
V
DS
);
T
j
= 25 °C
R
DS(on)
= f(
I
D
);
T
j
= 25 °C
parameter:
V
GS
parameter:
V
GS
7 Typ. transfer characteristics
8 Typ. drain-source on-state resistance
I
D
= f(
V
GS
);
V
DS
= 4V
R
DS(on)
= f(
T
j
);
I
D
= 80 A;
V
GS
= 10 V
parameter:
T
j
0
1
2
3
4
5
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
R
D
[
]
3 V
3.5 V
4 V
4.5 V
5 V
0
100
200
300
400
0
2
4
6
8
V
DS
[V]
I
D
3.5 V
4 V
4.5 V
5 V
6 V
10 V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
20
40
60
80
100
120
I
D
[A]
R
D
]
-55 °C
25 °C
175 °C
0
50
100
150
200
1
2
3
4
5
V
GS
[V]
I
D
Rev. 1.0
page 5
2005-09-16
相關PDF資料
PDF描述
IPI100N06S3L-03 OptiMOS㈢-T Power-Transistor
IPB100N08S2-07 OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPI100N08S2-07 OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB100N08S2L-07 OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPB12CN10NG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IPB100N06S3L-03_07 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPB100N06S3L03XT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB100N06S3L-04 功能描述:MOSFET OptiMOS -T2 PWR TRAN 55V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPB100N06S3L04ATMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 55V 100A TO-263
IPB100N06S3L04XT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 100A 3PIN TO-263 - Cut TR (SOS) 制造商:Infineon Technologies 功能描述:TRANSISTORS MOSFET N-CH 55V 100A 3PIN TO-263
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*