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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IPU07N03LA |
| 英文描述： | ?OptiMOS?2 Power MOSFET. 25V. TO251. RDSon = 6.5mOhm. 30A. LL ? |
| 中文描述： | ？的OptiMOS？2功率MOSFET。 25V的。 TO251。導(dǎo)通狀態(tài)\u003d 6.5mOhm。 30A條。當(dāng)?shù)毓蛦T？ |
| 文件頁數(shù)： | 3/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 236K |
| 代理商： | IPU07N03LA |
IPU07N03LA
Parameter
Symbol Conditions
Unit
min.
typ.
max.
Dynamic characteristics
Input capacitance
C
iss
-
1995
2653
pF
Output capacitance
C
oss
-
848
1128
Reverse transfer capacitance
C
rss
-
124
186
Turn-on delay time
t
d(on)
-
9
14
ns
Rise time
t
r
-
18
28
Turn-off delay time
t
d(off)
-
28
43
Fall time
t
f
-
4
6
Gate Charge Characteristics
5)
Gate to source charge
Q
gs
-
6
8
nC
Gate charge at threshold
Q
g(th)
-
3.2
4.2
Gate to drain charge
Q
gd
-
4.6
6.9
Switching charge
Q
sw
-
7
11
Gate charge total
Q
g
-
16
22
Gate plateau voltage
V
plateau
-
3.0
-
V
Gate charge total, sync. FET
Q
g(sync)
V
DS
=0.1 V,
V
GS
=0 to 5 V
-
14
19
nC
Output charge
Q
oss
V
DD
=15 V,
V
GS
=0 V
-
18
24
Reverse Diode
Diode continous forward current
I
S
-
-
30
A
Diode pulse current
I
S,pulse
-
-
210
Diode forward voltage
V
SD
V
GS
=0 V,
I
F
=30 A,
T
j
=25 °C
-
0.88
1.2
V
Reverse recovery charge
Q
rr
V
R
=15 V,
I
F
=
I
S
,
d
i
F
/d
t
=400 A/μs
-
-
10
nC
5)
See figure 16 for gate charge parameter definition
T
C
=25 °C
Values
V
GS
=0 V,
V
DS
=15 V,
f
=1 MHz
V
DD
=15 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=15 A,
R
G
=2.7
V
DD
=15 V,
I
D
=15 A,
V
GS
=0 to 5 V
Rev. 1.1
page 3
2003-02-06
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IQ160-12MQ208I | User Programmable Special Function ASIC |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IPU090N03L G | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 40A 9mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IPU090N03LG | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS3 Power-Transistor |
| IPU090N03LGXK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-251 |
| IPU09N03LA | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS 2 Power-Transistor |
| IPU09N03LA G | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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