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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IPU07N03LA |
| 英文描述： | ?OptiMOS?2 Power MOSFET. 25V. TO251. RDSon = 6.5mOhm. 30A. LL ? |
| 中文描述： | ？的OptiMOS？2功率MOSFET。 25V的。 TO251。導(dǎo)通狀態(tài)\u003d 6.5mOhm。 30A條。當(dāng)?shù)毓蛦T？ |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/9頁(yè) |
| 文件大小： | 236K |
| 代理商： | IPU07N03LA |
IPU07N03LA
9 Drain-source on-state resistance
10 Typ. gate threshold voltage
R
DS(on)
=f(
T
j
);
I
D
=30 A;
V
GS
=10 V
V
GS(th)
=f(
T
j
);
V
GS
=
V
DS
parameter:
I
D
11 Typ. Capacitances
12 Forward characteristics of reverse diode
C
=f(
V
DS
);
V
GS
=0 V;
f
=1 MHz
I
F
=f(
V
SD
)
parameter:
T
j
typ
98 %
0
2
4
6
8
10
12
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
R
D
[
]
40 μA
400 μA
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
G
Ciss
Coss
Crss
100
1000
10000
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
[V]
C
25 °C
175 °C
25 °C, 98 %
175 °C, 98 %
1
10
100
1000
0
0.5
1
1.5
2
V
SD
[V]
I
F
Rev. 1.1
page 6
2003-02-06
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
| IPU090N03L G | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 40A 9mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IPU090N03LG | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS3 Power-Transistor |
| IPU090N03LGXK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-251 |
| IPU09N03LA | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS 2 Power-Transistor |
| IPU09N03LA G | 功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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