參數(shù)資料
型號: IPU07N03LA
英文描述: ?OptiMOS?2 Power MOSFET. 25V. TO251. RDSon = 6.5mOhm. 30A. LL ?
中文描述: ?的OptiMOS?2功率MOSFET。 25V的。 TO251。導(dǎo)通狀態(tài)\u003d 6.5mOhm。 30A條。當(dāng)?shù)毓蛦T?
文件頁數(shù): 7/9頁
文件大?。?/td> 236K
代理商: IPU07N03LA
IPU07N03LA
13 Avalanche characteristics
14 Typ. gate charge
I
AS
=f(
t
AV
);
R
GS
=25
V
GS
=f(
Q
gate
);
I
D
=15 A pulsed
parameter: T
j(start)
parameter:
V
DD
15 Drain-source breakdown voltage
16 Gate charge waveforms
V
BR(DSS)
=f(
T
j
);
I
D
=1 mA
5 V
15 V
20 V
0
2
4
6
8
10
12
0
10
20
30
Q
gate
[nC]
V
G
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
V
B
V
GS
Q
gate
V
gs(th)
Q
g(th)
Q
gs
Q
gd
Q
sw
Q
g
25 °C
100 °C
150 °C
1
10
100
1
10
100
1000
t
AV
[μs]
I
A
Rev. 1.1
page 7
2003-02-06
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IQ160-12MQ208I User Programmable Special Function ASIC
IQ160-12PQ208 User Programmable Special Function ASIC
IQ160-12PQ208I User Programmable Special Function ASIC
IQ160-15MQ208 User Programmable Special Function ASIC
IQ160-15MQ208I User Programmable Special Function ASIC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IPU090N03L G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 40A 9mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IPU090N03LG 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS3 Power-Transistor
IPU090N03LGXK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-251
IPU09N03LA 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS 2 Power-Transistor
IPU09N03LA G 功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube