型號: | IRF130 |
廠商: | SEMELAB LTD |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | N-CHANNEL POWER MOSFET |
中文描述: | 45 A, 100 V, 0.21 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 |
文件頁數: | 6/7頁 |
文件大?。?/td> | 147K |
代理商: | IRF130 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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IRF1310NPBF | HEXFET POWER MOSFET |
IRF1312STRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 95A I(D) | TO-263AB |
IRF1312 | HEXFET Power MOSFET |
IRF1312L | HEXFET Power MOSFET |
IRF1312S | HEXFET Power MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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IRF130-133 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V |
IRF1302 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, Transistor Polarity:N Channel, Power Dissipation Pd:230W, Current Rating |
IRF1302L | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=4.0mohm, Id=174A) |
IRF1302PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 20V 180A TO-220 |
IRF1302S | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 174A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |