型號(hào): | IRF1312STRL |
廠商: | International Rectifier |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 95A I(D) | TO-263AB |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 80V的五(巴西)直| 95A章一(d)|對(duì)263AB |
文件頁(yè)數(shù): | 4/11頁(yè) |
文件大小: | 226K |
代理商: | IRF1312STRL |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
IRF1312 | HEXFET Power MOSFET |
IRF1312L | HEXFET Power MOSFET |
IRF1312S | HEXFET Power MOSFET |
IRF1312STRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 95A I(D) | TO-263AB |
IRF1404L | Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=162A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
IRF1312STRR | 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 95A I(D) | TO-263AB |
IRF131R | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-204AA |
IRF132 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:N-CHANNEL POWER MOSFETS |
IRF1324LPBF | 功能描述:MOSFET 24V 1 N-CH HEXFET 1.65mOhms 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRF1324PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 24V 353A 1.5mOhm 160nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |