參數(shù)資料
型號： IRF1405L
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.3mohm, Id=131A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 55V的，的Rds（on）\u003d 5.3mohm，身份證\u003d 131A章）
文件頁數(shù)： 6/11頁
文件大?。?/td> 154K
代理商： IRF1405L
IRF1405S/L
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
Fig 14.
Threshold Voltage Vs. Temperature
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
TJ , Temperature ( °C )
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
VG
ID = 250μA
25
50
75
100
125
150
175
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
A
BOTTOM
ID
41A
71A
101A
TOP
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF1405S Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.3mohm, Id=131A)
IRF1405PBF AUTOMOTIVE MOSFET
IRF1405ZL-7PPBF HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 4.9mヘ , ID = 120A )
IRF1405ZS-7PPBF HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 4.9mヘ , ID = 120A )
IRF1405Z AUTOMOTIVE MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF1405LPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 131A 5.3mOhm 170nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF1405PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 133A 5.3mOhm 170nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF1405S 功能描述:MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF1405SHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRF1405SPBF 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms 170nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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