參數(shù)資料
型號(hào): IRF1407STRL
廠商: International Rectifier
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 100A I(D) | TO-263AB
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 75V的五(巴西)直| 100號(hào)A(?。﹟對(duì)263AB
文件頁數(shù): 6/11頁
文件大小: 159K
代理商: IRF1407STRL
IRF1407S/IRF1407L
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
Fig 14.
Threshold Voltage Vs. Temperature
25
50
75
100
125
150
175
0
130
260
390
520
650
Starting T , Junction Temperature
( C)
E
A
ID
TOP
BOTTOM
32A
55A
78A
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175 200
TJ , Temperature (
°
C )
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
VG
ID = 250μA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF1407STRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 100A I(D) | TO-263AB
IRF1407 Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.0078ohm, Id=130A)
IRF1503 AUTOMOTIVE MOSFET
IRF150 TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.055ohm, Id= 38A)
IRF150 N-CHANNEL POWER MOSFETS
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參數(shù)描述
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IRF1407STRR 功能描述:MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF1407STRRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRF1407STRRPBF 功能描述:MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 7.8mOhms 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube