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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRF1902PBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 5.0 to 5.2; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 6/9頁 |
| 文件大小： | 144K |
| 代理商： | IRF1902PBF |
6
www.irf.com
Fig 13.
Typical On-Resistance Vs. Drain
Current
Fig 12.
Typical On-Resistance Vs. Gate
Voltage
Fig 14b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 14a.
Basic Gate Charge Waveform
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
2.0
4.0
6.0
8.0
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.10
0.11
0.12
0.13
0.14
0.15
RD
)
ID = 4.2A
0
5
10
15
20
ID , Drain Current (A)
0.000
0.500
1.000
1.500
2.000
2.500
3.000
RD
)
VGS = 4.5V
VGS = 2.7V
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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