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參數(shù)資料
| 型號： | IRF520VPBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET㈢ Power MOSFET |
| 中文描述： | ㈢的HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 156K |
| 代理商： | IRF520VPBF |
IRF520VPbF
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
4
8
12
16
20
24
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
9.2A
V
= 20V
DS
V
= 50V
DS
V
= 80V
DS
0.1
1
10
100
0.4
0.6
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 175 C
°
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0
200
400
600
800
1000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
1
10
100
1000
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
ID
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF520V | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A) |
| IRF5210L | Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A) |
| IRF5210S | Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A) |
| IRF5210 | Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A) |
| IRF5305PBF | HEXFET Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF520VS | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A) |
| IRF520VSPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N D2-PAK 100V 9.6A |
| IRF520VSTRL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9.6A I(D) | TO-263AB |
| IRF520VSTRR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9.6A I(D) | TO-263AB |
| IRF521 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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