參數(shù)資料
型號(hào)： IRF5210S
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d- 100V的，的Rds（on）\u003d 0.06ohm，身份證\u003d- 40A條）
文件頁(yè)數(shù)： 4/10頁(yè)
文件大小： 186K
代理商： IRF5210S
IRF5210S/L
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
1
10
100
C
A
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
0
40
Q , Total Gate Charge (nC)
80
120
160
200
G
A
-
V = -80V
V = -50V
V = -20V
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
I = -21A
1
10
100
1000
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
T = 25°C
V = 0V
GS
S
A
-
-V , Source-to-Drain Voltage (V)
T = 175°C
1
10
100
1000
1
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
10ms
A
-
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
10μs
100μs
1ms
T = 25°C
T = 175°C
Single Pulse
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PDF描述
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