參數(shù)資料
型號： IRF5210S
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d- 100V的，的Rds（on）\u003d 0.06ohm，身份證\u003d- 40A條）
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大小： 186K
代理商： IRF5210S
IRF5210S/L
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
[ ] ***
V
DD
[ ]
I
[ ]
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
*
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
Reverse Polarity of D.U.T for P-Channel
V
GS
***
V
GS
= 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices
Fig 14.
For P-Channel HEXFETS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF5210 Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-40A)
IRF5305PBF HEXFET Power MOSFET
IRF5305 Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A)
IRF530L Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.11ohm, Id=17A)
IRF530FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRF5210SPBF 功能描述:MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 60mOhms 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF5210STRL 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor, P-Channel, TO-263AB
IRF5210STRLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 100V 40A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRF5210STRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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