參數(shù)資料
型號： IRF540
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET POWER MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 8/9頁
文件大?。?/td> 86K
代理商： IRF540
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
IRF540, IRF540S
MECHANICAL DATA
Fig.16. SOT404 surface mounting package. Centre pin connected to mounting base.
Notes
1. This product is supplied in anti-static packaging. The gate-source input must be protected against static
discharge during transport or handling.
2. Refer to SMD Footprint Design and Soldering Guidelines, Data Handbook SC18.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
UNIT
A
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
A1
D1
D
max.
E
e
Lp
HD
Q
c
2.54
2.60
2.20
15.40
14.80
2.90
2.10
11
1.60
1.20
10.30
9.70
4.50
4.10
1.40
1.27
0.85
0.60
0.64
0.46
b
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
SOT404
0
2.5
5 mm
scale
Plastic single-ended surface mounted package (Philips version of D
2
-PAK); 3 leads
(one lead cropped)
SOT404
e
e
E
b
D1
HD
D
Q
Lp
c
A1
A
1
3
2
mounting
base
98-12-14
99-06-25
August 1999
8
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF540NL Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=44mohm, Id=33A)
IRF540NS Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=44mohm, Id=33A)
IRF540 N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V
IRF5NJZ34 55V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-0.5 package
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參數(shù)描述
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