參數(shù)資料
型號： IRF540NL
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=44mohm, Id=33A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 100V的，的Rds（on）\u003d 44mohm，身份證\u003d 33A條）
文件頁數(shù)： 6/9頁
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代理商： IRF540NL
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
IRF540, IRF540S
Fig.13. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.14. Maximum permissible non-repetitive
avalanche current (I
) versus avalanche time (t
AV
);
unclamped inductive load
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
Source-Drain Voltage, VSDS (V)
1
1.1 1.2 1.3 1.4 1.5
Source-Drain Diode Current, IF (A)
Tj = 25 C
175 C
VGS = 0 V
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
Avalanche time, t
AV
(ms)
Maximum Avalanche Current, I
AS
(A)
Tj prior to avalanche = 150 C
25 C
August 1999
6
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF540NS Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=44mohm, Id=33A)
IRF540 N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V
IRF5NJZ34 55V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-0.5 package
IRF610A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 3.3A I(D) | TO-220AB
IRF614A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 2.8A I(D) | TO-220AB
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參數(shù)描述
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