參數(shù)資料
型號： IRF6216PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 124K
代理商： IRF6216PBF
IRF6216PbF
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
2.7
–––
–––
33 49 I
D
= -1.3A
–––
7.2
11
–––
15
23
–––
18
–––
–––
15
–––
–––
33
–––
–––
26
–––
–––
1280
–––
–––
220
–––
–––
53
–––
–––
1290
–––
–––
99
–––
–––
220
–––
Conditions
V
DS
= -50V, I
D
= -1.3A
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
S
nC
V
DS
= -120V
V
GS
= -10V,
V
DD
= -75V
I
D
= -1.3A
R
G
= 6.5
V
GS
= -10V
V
GS
= 0V
V
DS
= -25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= -1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= -120V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to -120V
pF
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
ns
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
200
-4.0
Units
mJ
A
E
AS
I
AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Avalanche Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= -1.3A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= -1.3A
di/dt = -100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
80
310
-1.6
120
460
V
nS
nC
Diode Characteristics
-2.2
-19
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– -0.17 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= -1mA
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
-3.0
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
Min. Typ. Max. Units
-150
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= -250μA
–––
V
––– 0.240
–––
–––
–––
–––
–––
V
V
GS
= -10V, I
D
= -1.3A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
DS
= -150V, V
GS
= 0V
V
DS
= -120V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= -20V
V
GS
= 20V
-5.0
-25
-250
-100
100
μA
nA
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
S
D
G
相關PDF資料
PDF描述
IRF6218PBF HEXFET Power MOSFET
IRF6218 SMPS MOSFET
IRF630NSTRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.3A I(D) | TO-263AB
IRF630N Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.30ohm, Id=9.3A)
IRF630NL Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.30ohm, Id=9.3A)
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