參數(shù)資料
型號： IRF6216PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 124K
代理商： IRF6216PBF
IRF6216PbF
www.irf.com
3
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25
J
°
C
TOP
BOTTOM
VGS
-15V
-12V
-10V
-8.0V
-7.0V
-6.0V
-5.5V
-5.0V
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
-5.0V
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150
C
°
TOP
BOTTOM
VGS
-15V
-12V
-10V
-8.0V
-7.0V
-6.0V
-5.5V
-5.0V
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
-5.0V
0.1
1
10
100
5.0
5.5
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
V DS
20μs PULSE WIDTH
-
D
T = 150 C
T = 25 C
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T , Junction Temperature
( C)
R
(
D
V
=
I
=
GS
D
-10V
-2.2A
相關PDF資料
PDF描述
IRF6218PBF HEXFET Power MOSFET
IRF6218 SMPS MOSFET
IRF630NSTRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.3A I(D) | TO-263AB
IRF630N Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.30ohm, Id=9.3A)
IRF630NL Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.30ohm, Id=9.3A)
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