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參數(shù)資料
| 型號： | IRF630FP |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N - CHANNEL 200V - 0.35ihm - 9A - TO-220/FP MESH OVERLAY] MOSFET |
| 中文描述： | ? -通道200伏- 0.35ihm - 9A條- TO-220/FP網(wǎng)眼密胺] MOSFET的 |
| 文件頁數(shù)： | 4/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 97K |
| 代理商： | IRF630FP |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
IRF630, IRF630S
Fig.1. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25 C
= f(T
mb
)
Fig.2. Normalised continuous drain current.
ID% = 100
I
D
/I
D 25 C
= f(T
mb
); V
GS
≥
10 V
Fig.3. Safe operating area
I
D
& I
DM
= f(V
DS
); I
DM
single pulse; parameter t
p
Fig.4. Transient thermal impedance.
Z
th j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.5. Typical output characteristics, T
j
= 25 C
I
D
= f(V
DS
)
Fig.6. Typical on-state resistance, T
j
= 25 C
R
DS(ON)
= f(I
D
)
Normalised Power Derating, PD (%)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
25
50
75
100
125
150
175
Mounting Base temperature, Tmb (C)
0.01
0.1
1
10
1E-06
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
1E+00
Pulse width, tp (s)
Transient thermal impedance, Zth j-mb (K/W)
single pulse
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
tp
D = tp/T
D
P
T
Normalised Current Derating, ID (%)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
25
50
75
100
125
150
175
Mounting Base temperature, Tmb (C)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
0.2
0.4
0.6
Drain-Source Voltage, VDS (V)
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
Drain Current, ID (A)
Tj = 25 C
5 V
VGS = 10V
5.5 V
6 V
8 V
4.5 V
0.1
1
10
100
1
10
100
1000
Drain-Source Voltage, VDS (V)
Peak Pulsed Drain Current, IDM (A)
D.C.
100 ms
10 ms
RDS(on) = VDS/ ID
1 ms
tp = 10 us
100 us
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
0.5
0
1
2
3
5
6
7
8
9
10
Drain4
Drain-Source On Resistance, RDS(on) (Ohms)
VGS = 10V
Tj = 25 C
8 V
5 V
6 V
5.5 V
4.5 V
August 1999
4
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF630 | 9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
| IRF630 | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=9.0A) |
| IRF630 | N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V |
| IRF640FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220VAR |
| IRF640ST4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-263AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF630H | 制造商:HAR 功能描述:IRF630 HARRIS |
| IRF630I | 制造商:IR 功能描述:IRF630 I.R. |
| IRF630L | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF630M | 制造商:ST 功能描述:N-CHANNEL 200V 0.35 OHM 9A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY MOSFET |
| IRF630M_06 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 200V - 0.35ヘ - 9A - TO-220 /TO-220FP Mesh Overlay⑩ Power MOSFET |
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