參數(shù)資料
型號： IRF640S
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS transistor
中文描述： 16 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, SOT-404, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 95K
代理商： IRF640S
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
IRF640, IRF640S
Fig.13. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.14. Maximum permissible non-repetitive
avalanche current (I
) versus avalanche time (t
AV
);
unclamped inductive load
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
Source-Drain Voltage, VSDS (V)
Source-Drain Diode Current, IF (A)
Tj = 25 C
175 C
VGS = 0 V
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
Avalanche time, t
AV
(ms)
Maximum Avalanche Current, I
AS
(A)
Tj prior to avalanche = 150 C
25 C
August 1999
6
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF640 N-channel TrenchMOS transistor(N溝道 TrenchMOS 晶體管)
IRF640 Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A)
IRF640 18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRF640B 200V N-Channel MOSFET
IRF650A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 28A I(D) | TO-220AB
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參數(shù)描述
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