參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7321D2
廠商： International Rectifier
英文描述： FETKY MOSFET & Schottky Diode
中文描述： FETKY MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 154K
代理商： IRF7321D2
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
-30
–––
––– 0.042 0.062
––– 0.076 0.098
-1.0
–––
–––
7.7
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
23
–––
3.8
–––
5.9
–––
13
–––
13
–––
34
–––
32
–––
710
–––
380
–––
180
Conditions
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V
GS
= 0V, I
D
= -250μA
V
GS
= -10V, I
D
= -4.9A
V
GS
= -4.5V, I
D
= -3.6A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
DS
= -15V, I
D
= -4.9A
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V, T
J
= 55°C
V
GS
= -20V
V
GS
= 20V
I
D
= -4.9A
V
DS
= -15V
V
GS
= -10V, See Fig. 6
V
DD
= -15V
I
D
= -1.0A
R
G
= 6.0
R
D
= 15
,
V
GS
= 0V
V
DS
= -25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
–––
–––
-1.0
-25
100
-100
34
5.7
8.9
19
20
51
48
–––
–––
–––
V
S
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
MOSFET Source-Drain Ratings and Characteristics
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
nC
pF
MOSFET Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Parameter
Min. Typ. Max. Units
–––
–––
–––
––– -0.78 -1.0
–––
44
–––
42
Conditions
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
Schottky Diode Maximum Ratings
Continuous Source Current(Body Diode) –––
Pulsed Source Current (Body Diode)
Body Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time (Body Diode)
Reverse Recovery Charge
-2.5
-30
V
ns
nC
T
J
= 25°C, I
S
= -1.7A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= -1.7A
di/dt = 100A/μs
66
63
Parameter
Max. Units
3.2
2.0
200
20
Conditions
If (av)
Max. Average Forward Current
50% Duty Cycle. Rectangular Wave, Tc = 25°C
See Fig.14
5μs sine or 3μs Rect. pulse
10ms sine or 6ms Rect. pulse load condition &
Tc = 70°C
Following any rated
I
SM
Max. peak one cycle Non-repetitive
Surge current
with Vrrm applied
Parameter
Max. Units
0.57
0.77
0.52
0.79
0.30
37
310
4900 V/μs Rated Vr
Conditions
Vfm
Max. Forward voltage drop
If = 3.0, Tj = 25°C
If = 6.0, Tj = 25°C
If = 3.0, Tj = 125°C
If = 6.0, Tj = 125°C
Vr = 30V
.
Irm
Max. Reverse Leakage current
Tj = 25°C
Tj = 125°C
Ct
dv/dt
( HEXFET is the reg. TM for International Rectifier Power MOSFET's )
Max. Junction Capacitance
Max. Voltage Rate of Charge
pF
Vr = 5Vdc ( 100kHz to 1 MHz) 25°C
Schottky Diode Electrical Specifications
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PDF描述
IRF7322D1PBF FETKY MOSFET / Schottky Diode
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IRF7331PbF HEXFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
IRF7321D2PBF 功能描述:MOSFET 20V FETKY-30V MOSFET 62mOhms 23nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7321D2TR 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7321D2TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh w/Schttky -4.9A 62mOhm 23nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7322D1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7322D1HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
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