參數(shù)資料
型號： IRF7401PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢ Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 209K
代理商： IRF7401PBF
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
I
D
V , Drain-to-Source Voltage (V)
20μs PULSE WIDTH
T = 25°C
A
VGS
1.5V
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
I
D
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
VGS
1.5V
20μs PULSE WIDTH
T = 150°C
1
10
100
1000
1.5
2.0
V , Gate-to-Source Voltage (V)
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
T = 25°C
T = 150°C
D
I
A
V = 15V
20μs PULSE WIDTH
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-60 -40
-20
T , Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100 120 140 160
R
D
(
A
V = 4.5V
I = 6.9A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7402PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7404QPBF HEXFET Power MOSFET ( VDSS = -20V , RDS(on) = 0.040ヘ )
IRF7406PBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRF740ASPBF SMPS MOSFET
IRF740LPBF SMPS MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7401TR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 8.7A 8-Pin SOIC T/R
IRF7401TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 8.7A 22mOhm 32nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7402 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N SO-8
IRF7402HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 6.8A 8SOIC - Rail/Tube
IRF7402PBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 35mOhms 14nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*