參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7401PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢ Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
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代理商： IRF7401PBF
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0
500
1000
1500
2000
2500
3000
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
2
4
6
8
10
0
10
Q , Total Gate Charge (nC)
20
30
40
50
V
G
A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 12
I = 4.1A
V = 16V
0.1
1
10
100
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
T = 25°C
T = 150°C
V = 0V
V , Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
A
1
10
100
0.1
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25°
J
A
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
100us
1ms
10ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7402PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7404QPBF HEXFET Power MOSFET ( VDSS = -20V , RDS(on) = 0.040ヘ )
IRF7406PBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRF740ASPBF SMPS MOSFET
IRF740LPBF SMPS MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7401TR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 8.7A 8-Pin SOIC T/R
IRF7401TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 8.7A 22mOhm 32nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7402 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N SO-8
IRF7402HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 6.8A 8SOIC - Rail/Tube
IRF7402PBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 35mOhms 14nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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