參數(shù)資料
型號： IRF7413A
廠商： International Rectifier
英文描述： Fast Switching HEXFET Power MOSFET(快速轉換 N溝道HEXFET功率MOS場效應管)
中文描述： 快速HEXFET功率MOSFET的開關（快速轉換?溝道的HEXFET功率馬鞍山場效應管）
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 116K
代理商： IRF7413A
IRF7413A
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 6.6A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 7.3A
di/dt = 100A/μs
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
74
200
1.0
110
300
V
ns
nC
Source-Drain Ratings and Characteristics
A
–––
–––
58
–––
–––
3.1
Parameter
Min. Typ. Max. Units
30
–––
––– 0.034 –––
–––
––– 0.0135
–––
––– 0.020
1.0
–––
10
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
52
–––
6.1
–––
16
–––
8.6
–––
50
–––
52
–––
46
––– 1800 –––
–––
680
–––
240
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 6.6A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 3.3A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 10V, I
D
= 3.7A
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= -20V
V
GS
= 20V
I
D
= 7.3A
V
DS
= 24V
V
GS
= 10 V, See Fig. 6 and 9
V
DD
= 15V
I
D
= 7.3A
R
G
= 6.2
R
D
= 2.0
,
See Fig. 10
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V/°C
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
–––
–––
1.0
25
-100
100
79
9.2
23
–––
–––
–––
–––
V
S
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Q
g
Total Gate Charge
Q
gs
Gate-to-Source Charge
Q
gd
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
C
iss
Input Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
nC
–––
–––
pF
μA
nA
ns
I
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Notes:
S
D
G
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
Starting T
J
= 25°C, L =9.8mH
R
G
= 25
, I
AS
=7.3A. (See Figure 12)
I
SD
≤
7.3A, di/dt
≤
100A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
150°C
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
Use IRF7413 data and test conditions
Surface mounted on FR-4 board, t
≤
10sec.
相關PDF資料
PDF描述
IRF7413ZPBF Control FET for Notebool Processor Power, Control and Synchronous Rectifier
IRF7416 P-Channel HEXFET Power MOSFET(P溝道 HEXFET 功率MOS場效應管)
IRF7422D2PBF FETKY⑩MOSFET &Schottky Diode
IRF7422D2 Co-packaged HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode(同封裝 HEXFET晶體管和肖特基二極管)
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IRF7413GTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 13A 11mOhm 44nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7413PBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 44nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7413QPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7413QPBF_10 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFETPOWERMOSFET
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