參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7413A
廠(chǎng)商： International Rectifier
英文描述： Fast Switching HEXFET Power MOSFET(快速轉(zhuǎn)換 N溝道HEXFET功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 快速HEXFET功率MOSFET的開(kāi)關(guān)（快速轉(zhuǎn)換?溝道的HEXFET功率馬鞍山場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 9/9頁(yè)
文件大小： 116K
代理商： IRF7413A
IRF7413A
SO8
Dimensions are shown in millimeters (inches)
4.10 (.161)
3.90 (.154)
1.60 (.062)
1.50 (.059)
1.85 (.072)
1.65 (.065)
5.30 (.208)
5.10 (.201)
5.55 (.218)
5.45 (.215)
2.60 (.102)
1.50 (.059)
6.50 (.255)
6.30 (.248)
8.10 (.318)
7.90 (.311)
FEED DIRECTION
TERMINATION
NUMBER 1
2.05 (.080)
1.95 (.077)
0.35 (.013)
0.25 (.010)
12.30 (.484)
11.70 (.461)
2.20 (.086)
2.00 (.079)
15.40 (.607)
11.90 (.469)
2
50.00
(1.969)
MIN.
18.40 (.724)
MAX
3
14.40 (.566)
12.40 (.448)
3
330.00
(13.000)
MAX.
13.20 (.519)
12.80 (.504)
NOTES:
1 CONFORMS TO EIA-481-1
2 INCLUDES FLANGE DISTORTION @ OUTER EDGE
3 DIMENSIONS MEASURED @ HUB
4 CONTROLLING DIMENSION : METRIC
1
WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
EUROPEAN HEADQUARTERS:
Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
IR CANADA:
7321 Victoria Park Ave., Suite 201, Markham, Ontario L3R 2Z8, Tel: (905) 475 1897
IR GERMANY:
Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590
IR ITALY:
Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111
IR FAR EAST:
K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo Japan 171 Tel: 81 3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA:
315 Outram Road, #10-02 Tan Boon Liat Building, Singapore 0316 Tel: 65 221 8371
http://www.irf.com/
Data and specifications subject to change without notice.
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Tape & Reel Information
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7413ZPBF Control FET for Notebool Processor Power, Control and Synchronous Rectifier
IRF7416 P-Channel HEXFET Power MOSFET(P溝道 HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRF7422D2PBF FETKY⑩MOSFET &Schottky Diode
IRF7422D2 Co-packaged HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode(同封裝 HEXFET晶體管和肖特基二極管)
IRF7424PBF HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7413ATR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7413GTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 13A 11mOhm 44nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7413PBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 44nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7413QPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7413QPBF_10 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:HEXFETPOWERMOSFET
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