參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7420PbF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 173K
代理商： IRF7420PBF
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= -2.5A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= -2.5A
di/dt = -100A/μs
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
62
61
-1.2
93
92
V
ns
μC
Source-Drain Ratings and Characteristics
46
2.5
S
D
G
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
Pulse width
≤
400μs; duty cycle
≤
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Surface mounted on 1 in square Cu board, t
≤
10sec.
Parameter
Min. Typ. Max. Units
-12
–––
––– 0.007 –––
–––
–––
–––
–––
-0.4
–––
32
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
38
–––
8.1
–––
8.7
–––
8.8
–––
8.8
–––
291
–––
225
––– 3529 –––
––– 1013 –––
–––
656
Conditions
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V
GS
= 0V, I
D
= -250μA
Reference to 25°C, I
D
= -1mA
V
GS
= -4.5V, I
D
= -11.5A
V
GS
= -2.5V, I
D
= -9.8A
V
GS
= -1.8V, I
D
= -8.1A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
DS
= -10V, I
D
= -11.5A
V
DS
= -9.6V, V
GS
= 0V
V
DS
= -9.6V, V
GS
= 0V, T
J
= 70°C
V
GS
= -8V
V
GS
= 8V
I
D
= -11.5A
V
DS
= -6V
V
GS
= -4.5V
V
DD
= -6V, V
GS
= -4.5V
I
D
= -1.0A
R
D
= 6
R
G
= 6
V
GS
= 0V
V
DS
= -10V
= 1.0MHz
V/°C
14
17.5
26
-0.9
–––
-1.0
-25
-100
100
–––
–––
–––
13
13
437
338
V
GS(th)
g
fs
I
DSS
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
V
S
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
nC
pF
–––
I
GSS
μA
m
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Drain-to-Source Leakage Current
nA
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7421D1PBF 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
IRF7433PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
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IRF7452QPBF HEXFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
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IRF7421D1_98 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:MOSFET / Schottky Diode
IRF7421D1PBF 功能描述:MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 35mOhms 18nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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