參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7473
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=100V, iD=6.9A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 100V的，身份\u003d 6.9A）
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大小： 196K
代理商： IRF7473
IRF7473
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
10
–––
–––
61
–––
21
–––
19
–––
24
–––
20
–––
29
–––
11
–––
3180
–––
230
–––
120
–––
830
–––
150
–––
230
Conditions
V
DS
= 50V, I
D
= 4.1A
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
––– I
D
= 4.1A
–––
nC
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
–––
–––
–––
S
V
DS
= 50V
V
GS
= 10V,
V
DD
= 50V
I
D
= 4.1A
R
G
= 6.0
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 80V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 80V
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
ns
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
140
4.1
Units
mJ
A
E
AS
I
AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Avalanche Characteristics
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 4.1A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 4.1A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
55
140
1.3
–––
–––
V
ns
nC
Diode Characteristics
2.3
55
A
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.11 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
3.5
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
Min. Typ. Max. Units
100
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
–––
V
22
–––
–––
–––
–––
–––
26
5.5
1.0
250
100
-100
m
V
V
GS
= 10V, I
D
= 4.1A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 95V, V
GS
= 0V
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
μA
nA
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7474PBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRF7474 HEXFET Power MOSFET
IRF7475PBF HEXFET Power MOSFET
IRF7476 Power MOSFET(Vdss=12V, Id=15A)
IRF7478QPBF SMPS MOSFET
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