參數(shù)資料
型號： IRF7473
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=100V, iD=6.9A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 100V的，身份\u003d 6.9A）
文件頁數(shù)： 7/8頁
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代理商： IRF7473
IRF7473
www.irf.com
7
SO-8 Package Details
K x 45°
C
8X
L
8X
θ
H
0.25 (.010) M A M
A
0.10 (.004)
B 8X
0.25 (.010) M C A S B S
- C -
6X
e
- B -
D
E
- A -
8 7 6 5
1 2 3 4
5
6
5
R EC OMM EN D ED FOOTPR INT
0.72 (.028 )
8X
1.78 (.070)
8X
6.46 ( .255 )
1.27 ( .050 )
3X
DIM
INCHES MILLIMETERS
MIN MAX MIN MAX
A .0532 .0688 1.35 1.75
A1 .0040 .0098 0.10 0.25
B .014 .018 0.36 0.46
C .0075 .0098 0.19 0.25
D .189 .196 4.80 4.98
E .150 .157 3.81 3.99
e .050 BASIC 1.27 BASIC
e1 .025 BASIC 0.635 BASIC
H .2284 .2440 5.80 6.20
K .011 .019 0.28 0.48
L 0.16 .050 0.41 1.27
θ
0° 8° 0° 8°
N OTES :
1. D IME NS ION IN G A ND TOLE RA N C IN G PE R A N SI Y 14.5M-1982.
2. C ONTR OLLIN G DIME NS ION : IN CH .
3. D IME NS ION S AR E S H OW N IN MILLIME TER S (IN C H ES ).
4. OU TLIN E C ON FOR MS TO JE D EC OU TLIN E M S-012A A.
D IM EN SION D OE S N OT IN CLU DE MOLD P R OTR U SION S
M OLD PR OTRU S ION S N OT TO E XC EE D 0.25 (.006).
6
5
A1
e1
θ
SO-8 Part Marking
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7474PBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRF7474 HEXFET Power MOSFET
IRF7475PBF HEXFET Power MOSFET
IRF7476 Power MOSFET(Vdss=12V, Id=15A)
IRF7478QPBF SMPS MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRF7473.PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N SO-8 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, SO-8 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.9A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):26mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5.5V; Power Dissipation Pd:2.5W ;RoHS Compliant: Yes
IRF7473PBF 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 61nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7473TR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
IRF7473TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 6.9A 26mOhm 61nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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