參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7473
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=100V, iD=6.9A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 100V的，身份\u003d 6.9A）
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
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代理商： IRF7473
IRF7473
6
www.irf.com
Fig 13.
On-Resistance Vs. Gate Voltage
Fig 12.
On-Resistance Vs. Drain Current
Fig 14a&b.
Basic Gate Charge Test Circuit
and Waveform
Fig 15a&b.
Unclamped Inductive Test circuit
and Waveforms
Fig 15c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
V
GS
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
BOTTOM
ID
1.8A
3.3A
4.1A
TOP
6.0
8.0
10.0
12.0
14.0
16.0
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
0.020
0.025
0.030
0.035
RD
)
ID = 6.9A
0
20
40
60
ID , Drain Current (A)
0.022
0.024
0.026
0.028
RD
)
VGS = 10V
tp
V
(B R)D SS
I
AS
RG
IAS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
DRIVER
A
15V
20V
10V
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PDF描述
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IRF7473PBF 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 61nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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