參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7484
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 5/10頁(yè)
文件大小： 196K
代理商： IRF7484
IRF7484
www.irf.com
5
Fig 11.
Typical Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
25
50
75
100
125
150
0
3
6
9
12
15
T , Case Temperature
( °
I
D
0.1
1
10
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
100
Notes:
1. Duty factor D =
t / t
2. Peak T
= P
x Z
+ T
2
J
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
(
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
≤ 1
≤ 0.1 %
+
-
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PDF描述
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參數(shù)描述
IRF7484PBF 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 69nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7484Q 功能描述:MOSFET N-CH 40V 14A 8-SOIC RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7484QPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 40V, 14A, 10 MOHM, 69 NC QG, SO-8 - Rail/Tube
IRF7484QTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFET, 40V, 14A 10 mOhm, 69 nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7484TR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 40V 14A 8SOIC - Tape and Reel
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