參數(shù)資料
型號(hào)： IRFB23N15
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.090ohm, Id=23A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 150伏時(shí)，RDS（on）的最大值\u003d 0.090ohm，身份證\u003d 23A條）
文件頁數(shù)： 10/11頁
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代理商： IRFB23N15
IRFB/IRFS/IRFSL23N15D
10
www.irf.com
TO-262 Part Marking Information
TO-262 Package Outline
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFB23N15D Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.090ohm, Id=23A)
IRFSL23N15D 150V,23A,SMPS MOSFET for High frequency DC-DC converters(150V,23A,開關(guān)電源 MOS場(chǎng)效應(yīng)管，用于高頻DC-DC變換器)
IRFS23N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.10ohm, Id=24A)
IRFSL23N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.10ohm, Id=24A)
IRFB23N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.10ohm, Id=24A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFB23N15D 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-220
IRFB23N15DHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRFB23N15DPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 150V 23A 90mOhm 37nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFB23N15DPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:N CH MOSFET 150V 23A TO-220AB
IRFB23N20D 功能描述:MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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