參數(shù)資料
型號： IRFB23N15
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.090ohm, Id=23A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 150伏時，RDS（on）的最大值\u003d 0.090ohm，身份證\u003d 23A條）
文件頁數(shù)： 6/11頁
文件大?。?/td> 139K
代理商： IRFB23N15
IRFB/IRFS/IRFSL23N15D
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
175
0
100
200
300
400
500
600
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
ID
14A
9.8A
5.6A
TOP
BOTTOM
相關PDF資料
PDF描述
IRFB23N15D Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.090ohm, Id=23A)
IRFSL23N15D 150V,23A,SMPS MOSFET for High frequency DC-DC converters(150V,23A,開關電源 MOS場效應管，用于高頻DC-DC變換器)
IRFS23N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.10ohm, Id=24A)
IRFSL23N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.10ohm, Id=24A)
IRFB23N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.10ohm, Id=24A)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IRFB23N15DHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRFB23N15DPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 150V 23A 90mOhm 37nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFB23N15DPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:N CH MOSFET 150V 23A TO-220AB
IRFB23N20D 功能描述:MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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