參數(shù)資料
型號： IRFB4710
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=100v, Rds(on)max=0.014ohm, Id=75A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 100伏時，RDS（on）的最大值\u003d 0.014ohm，身份證\u003d 75A條）
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代理商： IRFB4710
IRFB/IRFS/IRFL4710
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
40
Q , Total Gate Charge (nC)
80
120
160
200
0
4
8
12
16
20
V
G
I =
SEE FIGURE
FOR TEST CIRCUIT
13
45A
V
= 20V
DS
V
= 50V
DS
V
= 80V
DS
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0
2000
4000
6000
8000
10000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
1
10
100
1000
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
0.1
1
10
100
1000
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 175 C
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PDF描述
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IRFB4710PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 75A 14mOhm 110nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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IRFB52N15 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A)
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