參數(shù)資料
型號： IRFB52N15
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 150伏時，RDS（on）的最大值\u003d 0.032ohm，身份證\u003d 50A條）
文件頁數(shù)： 2/11頁
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代理商： IRFB52N15
IRFB/IRFS/IRFSL52N15D
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
19
–––
–––
79 120 I
D
= 36A
–––
25
37
–––
34
51
–––
16
–––
–––
47
–––
–––
28
–––
–––
25
–––
–––
2770
–––
–––
590
–––
–––
110
–––
–––
3940
–––
–––
260
–––
–––
550
–––
Conditions
V
DS
= 50V, I
D
= 36A
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
S
nC
V
DS
= 120V
V
GS
= 10V,
V
DD
= 75V
I
D
= 36A
R
G
= 2.5
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V,
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 120V,
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 120V
pF
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
ns
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
470
36
32
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Avalanche Characteristics
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25
°
C, I
S
= 36A, V
GS
= 0V
T
J
= 25
°
C, I
F
= 36A
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
140
780
1.5
210
1170
V
nS
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Diode Characteristics
60
240
A
Static @ T
J
= 25
°
C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.16
–––
V/
°
C Reference to 25
°
C, I
D
= 1mA
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
3.0
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
Min. Typ. Max. Units
150
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
–––
V
–––
0.032
–––
–––
–––
–––
–––
V
V
GS
= 10V, I
D
= 36A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 150V, V
GS
= 0V
V
DS
= 120V, V
GS
= 0V, T
J
= 150
°
C
V
GS
= 30V
V
GS
= -30V
5.0
25
250
100
-100
μA
nA
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
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PDF描述
IRFS52N15D Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A)
IRFB52N15D Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A)
IRFU014 Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A)
IRFR014 Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A)
IRFU120TR HEXFET POWER MOSFET
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IRFB5615PBF 功能描述:MOSFET Audio MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFB5615PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET CLASS D 150V TO220AB
IRFB5615PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:N CH MOSFET 150V 35A TO-220AB
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