參數(shù)資料
型號： IRFIB5N50L
廠商： International Rectifier
英文描述： MOTOR Control Application
中文描述： 電機控制中的應(yīng)用
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大小： 185K
代理商： IRFIB5N50L
www.irf.com
5
Fig 10.
Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
25
50
75
100
125
150
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
T , Case Temperature (°
I
D
Fig 9.
Maximum Safe Operating Area
1
10
100
1000
10000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
ID
Tc = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
Fig 11a.
Switching Time Test Circuit
≤ 1
≤ 0.1 %
+
-
Fig 11b.
Switching Time Waveforms
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFIB5N65A N Channel SMPS MOSFET(N溝道開關(guān)模式電源MOS場效應(yīng)管)
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IRFIBC20G Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=1.7A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRFIB5N65A 功能描述:MOSFET N-Chan 650V 5.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFIB5N65APBF 功能描述:MOSFET N-Chan 650V 5.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFIB6N60A 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 5.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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