參數(shù)資料
型號： IRFIB5N50L
廠商： International Rectifier
英文描述： MOTOR Control Application
中文描述： 電機(jī)控制中的應(yīng)用
文件頁數(shù)： 8/9頁
文件大?。?/td> 185K
代理商： IRFIB5N50L
8
www.irf.com
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
Fig 17.
For N-Channel HEXFET Power MOSFETs
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFIB5N65A N Channel SMPS MOSFET(N溝道開關(guān)模式電源MOS場效應(yīng)管)
IRFIB5N65 Power MOSFET(Vdss=650V, Rds(on)max=0.93ohm, Id=5.1A)
IRFIB7N50A SMPS MOSFET(開關(guān)模式電源MOS場效應(yīng)管)
IRFIBC20 Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=1.7A)
IRFIBC20G Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=1.7A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFIB5N50LPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 4.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFIB5N65 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=650V, Rds(on)max=0.93ohm, Id=5.1A)
IRFIB5N65A 功能描述:MOSFET N-Chan 650V 5.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFIB5N65APBF 功能描述:MOSFET N-Chan 650V 5.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFIB6N60A 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 5.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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